有限晶体中的电子态-Bloch波的量子限域

.3.2 两个有关定理
3.3 理想半无限晶体中的表面态
3.4 vout有限的情况
3.5 与前人工作的比较和讨论
参考文献
第四章 理想一维有限晶体中的电子态
4.1 基本考虑
4.2 两种不同类型的电子态
4.3 依赖于的电子态
4.4 一维对称有限晶体里的电子态
4.5 对于有效质量抉的评论
4.6 关于表面态的讨论
4.7 两个其他的讨论
4.7.1 关于能带形成的讨论
4.7.2 关于边界位置的讨论
4.8 小结
参考文献
第三部分 低维系统和有限晶体
第五章 理想量子膜中的电子态
5.1 一个有关定理
5.2 定理的推论
5.3 理想量子膜里电子态的基本考虑
5.4 bloch驻波态
5.5 依赖于t3的电子态
5.6 几种比较有实际意义的量子膜
5.7 与过去数值计算结果的比较
5.8 进一步的讨论
参考文献
第六章 理想量子线中的电子态
6.1 基本考虑
6.2 的进一步量子限域
6.3 的进一步量子限域
6.4 具有简单正方、四角或正交布拉维格子的晶体的量子线
6.5 具有面心立方布拉维格子的晶体、表面为(110)和(001)面的量子线
6.5.1 由面心立方的(001)量子膜被两个(110)边界面所限而得到的量子线
6.5.2 由面心立方的(110)量子膜被两个(001)边界面所限而得到的量子线
6.5.3 将6.5.1和6.5.2两小节结合得到的结果
6.6 具有面心立方布拉维格子的晶体、表面为
(110)和(110)面的量子线
6.7 具有体心立方布拉维格子的晶体、表面为(001)和(010)面的量子线
6.8 小结和讨论
参考文献
第七章 理想有限晶体或量子点中的电子态
7.1 基本考虑
7.2 的进一步量子限域
7.3 的进一步量子限域
7.4 的进一步量子限域
7.5 的进一步量子限域
7.6 具有简单立方、四角或正交布拉维格子的有限晶体或量子点
7.7 具有面心立方布拉维格子、表面为(001)(110)和(110)面的有限晶体
7.8 具有体心立方布拉维格子、表面为(100)(010)和(001)面的有限晶体
7.9 小结和讨论
参考文献
第四部分 尾声
第八章 结束语
8.1 总结和简单的讨论
8.2 一些相关系统
8.2.1 理想空腔结构的电子态
8.2.2 其他有限周期性结构的电子态
8.3 能否有一个更普遍的理论?
参考文献
第五部分 附录
附录a 具有有限外部势场vout的一维对称有限晶体中的电子态
参考文献
附录b 理想空腔结构的电子态
b.1 一维晶体里理想空腔结构的电子态
b.2 三维晶体里理想二维空腔结构的电子态
b.3 三维晶体里理想一维空腔结构的电子态
b.3.1 具有简单立方、四角或正交布拉维格子的晶体中的一维空腔结构
b.3.2 面心立方晶体中具有(001)和(110)表面的一维空腔结构
b.3.3 面心立方晶体中具有(110)和(110)表面的一维空腔结构
b.3.4 体心立方晶体中具有(010)和(001)表面的一维空腔结构
b.4 三维晶体里理想零维空腔结构的电子态
b.4.1 具有简单立方、四角或正交布拉维格子的晶体中的零维空腔结构
b.4.2 面心立方晶体中具有(110)，(110)和(001)表面的零维空腔结构
b.4.3 体心立方晶体中具有(100)，(010)和(001)表面的零维空腔结构