模拟电子技术（第二版）（英文版）

2.2 Load-Line Analysis
2.3 Equivalent Model Analysis
2.4 AND/OR Gates
2.5 Sinusoidal Inputs; Half-Wave Rectification
2.6 Full-Wave Rectification
2.7 Clippers
2.8 Clampers
2.9 Zener Diodes
2.10 Summary
Problems
Chapter 3 Bipolar Junction Transistors
3.1 Introduction
3.2 Transistor Construction
3.3 Transistor Operation
3.4 Common-Base Configuration
3.5 Transistor Amplifying Action
3.6 Common-Emitter Configuration
3.7 Common-Collector Configuration
3.8 Limits of Operation
3.9 Transistor Specification Sheet
3.10 Transistor Casing and Terminal Identification
3.11 Summary
Problems
Chapter 4 DC Biasing — BJTs
4.1 Introduction
4.2 Operating Point
4.3 Fixed-Bias Circuit
4.4 Emitter Bias
4.5 Voltage-Divider Bias
4.6 DC Bias with Voltage Feedback
4.7 Miscellaneous Bias Configurations
4.8 Transistor Switching Networks
4.9 pnp Transistors
4.10 Bias Stabilization
4.11 Summary
Problems
Chapter 5 BJT AC Analysis
5.1 Introduction
5.2 Amplification in the AC Domain
5.3 BJT Transistor Modeling
5.4 The re Transistor Model
5.5 The Hybrid Equivalent Model
5.6 Hybrid Model
5.7 Variations of Transistor Parameters
5.8 Common-Emitter Fixed-Bias Configuration
5.9 Voltage-Divider Bias
5.10 CE Emitter-Bias Configuration
5.11 Emitter-Follower Configuration
5.12 Common-Base Configuration
5.13 Collector Feedback Configuration
5.14 Collector DC Feedback Configuration
5.15 Determining the Current Gain
5.16 Effect of RL and Rs
5.17 Two-Port Systems Approach
5.18 Summary Table
5.19 Cascaded Systems
5.20 Darlington Connection
5.21 Feedback Pair
5.22 Current Mirror Circuits
5.23 Current Source Circuits
5.24 Approximate Hybrid Equivalent Circuit
5.25 Summary
Problems
Chapter 6 Field-Effect Transistors
6.1 Introduction
6.2 Construction and Characteristics of JFETs
6.3 Transfer Characteristics
6.4 Specification Sheets (JFETs)
6.5 Important Relationships
6.6 Depletion-Type MOSFET
6.7 Enhancement-Type MOSFET
6.8 CMOS
6.9 Summary Table
6.10 Summary
Problems
Chapter 7 FET Biasing
7.1 Introduction
7.2 Fixed-Bias Configuration
7.3 Self-Bias Configuration
7.4 Voltage-Divider Biasing
7.5 Depletion-Type MOSFETs
7.6 Enhancement-Type MOSFETs
7.7 Summary Table
7.8 Combination Networks
7.9 p-Channel Fets
7.10 Summary
Problems
Chapter 8 FET Amplifiers
8.1 Introduction
8.2 FET Small-Signal Model
8.3 JFET Fixed-Bias Configuration
8.4 JFET Self-Bias Configuration
8.5 JFET Voltage-Divider Configuration
8.6 JFET Source-Follower(Common-Drain) Configuration
8.7 JFET Common-Gate Configuration
8.8 Depletion-Type MOSFETs
8.9 Enhancement-Type MOSFETs
8.10 E-MOSFET Drain-Feedback Configuration
8.11 E-MOSFET Voltage-Divider Configuration
8.12 Summary Table
8.13 Effect of RL and Rsig
8.14 Cascade Configuration
8.15 Summary
Problems
Chapter 9 BJT and FET Frequency Response
9.1 Introduction
9.2 General Frequency Considerations
9.3 Low-Frequency Analysis Bode Plot
9.4 Low-Frequency Response BJT Amplifier
9.5 Low-Frequency Response FET Amplifier
9.6 Miller Effect Capacitance
9.7 High-Frequency Response BJT Amplifier
9.8 High-Frequency Response FET Amplifier
9.9 Multistage Frequency Effects
9.10 Summary
Problems
Chapter 10 Operational Amplifiers
10.1 Introduction
10.2 Differential Amplifier Circuit
10.3 Differential and Common-Mode Operation
10.4 BIFET, BIMOS, and CMOS Differential Amplifier Circuits
10.5 Op-Amp Basics
10.6 Op-Amp SpecificationsDC Offset Parameters
10.7 Op-Amp SpecificationsFrequency Parameters
10.8 Op-Amp Unit Specifications
10.9 Summary
Problems
Chapter 11 Op-Amp Applications
11.1 Operation Circuits
11.2 Active Filters
11.3 Comparator Unit Operation
11.4 Schmitt Trigger
11.5 Summary
Problems
Chapter 12 Power Amplifiers
12.1 IntroductionDefinitions and Amplifier Types
12.2 Series-Fed Class A Amplifier
12.3 Transformer-Coupled Class A Amplifier
12.4 Class B Amplifier Operation
12.5 Class B Amplifier Circuits
12.6 Class C and Class D Amplifiers
12.7 Summary
Problems
Chapter 13 Feedback Circuits
13.1 Feedback Concepts
13.2 Feedback Connection Types
13.3 Practical Feedback Circuits
13.4 Feedback AmplifierPhase and Frequency Considerations
13.5 Summary
Problems

.　　场效应晶体管（FET）
　　场效应晶体管由于具有稳定性佳等优势，正逐渐取代BJT而被人们广泛应用。FET有多种类型，掌握其结构和不同类型FET的特点，例如输入特性、输出特性和转移特性，就成为学习FET的首要内容（见第6章）。建议采用与BJT相对比的方法学习FET。作为晶体管的一种，FET和BJT一样主要用于放大小信号，也是一种非线性有源器件，需要设置直流工作点，使其工作在饱和区（BJT是工作在线性放大区），才能无失真地放大交流小信号。同样，需要首先学习FET的直流偏置电路（见第7章），然后需要用小信号微变等效模型方法分析其对交流小信号的放大特性（见第8章）。但是FET从内部结构、工作区、转移特性、3种基本组态、直流偏置电路、小信号微变等效模型等方面与BJT都是不同的。通过学习第7章和第8章，读者将掌握单个FET构成的基本放大电路的工作原理和性能分析。
　　复杂电路和特性
　　通过对第1章至第8章的学习，恭喜您入门了，掌握了二极管和晶体管的基本器件知识，学会了分析基本单管放大电路，掌握了画图法、负载线分析法及等效电路分析方法。下一步，读者将进入更复杂电路和特性的学习。首先，通过学习第9章的内容，认识到晶体管（无论是BJT还是FET）对不同频率的输入信号有不同的响应，通过学习其频率响应特性加深对晶体管放大电路的认识，学会分析其频率响应以及扩展带宽的方法。这部分一般属于难点知识，重点在于对晶体管放大电路频率响应概念的理解，例如带宽、截止频率等，定量分析是比较困难的。在掌握了单个晶体管放大电路的基础上，第10章介绍多级放大电路和差分放大电路，这些单元电路是构成集成电路的基础。其中，差分放大电路的分析既是重点也是教学中的难点。同时，第10章以集成运算放大器为例介绍集成电路知识，包括其内部结构和外部特性等。运算放大器的应用电路见第11章，运算放大器的线性运用包括有源滤波器和运算单元，非线性运用包括比较器和施密特触发器。
　　本书讲解晶体管放大器主要是以放大交流小信号为主，分析方法以小信号微变等效模型分析方法为主，但是第12章则不同，主要介绍基于大信号的功率放大器，因此小信号微变等效模型分析方法在此就不能使用了。这一章主要以大信号分析为主，学习功率的计算，掌握不同类型功率放大器电路的特征和分析方法。
　　电路在实际应用中可能存在很多问题，例如工作点不稳定而发生漂移，输出电压不稳定等等，因此改善电路性能是至关重要的，在放大电路中引入负反馈就是改善电路性能的一种重要方法，在第13章中进行阐述。在了解反馈的构成基础上，需要掌握瞬时极性法来分析反馈的类型。不同类型的反馈作用是不同的，正反馈产生自激，负反馈具有稳定电路的作用，此章主要讲述负反馈放大电路及其分析方法。负反馈有4种类型，对电路进行分析并判断是否存在反馈以及存在何种反馈是一项重要的技能。通过为放大电路引入深度负反馈来改善电路性能，例如阻抗特性、输出特性等，是电路分析和设计的重要内容。值得注意的是，当电路中引入了深度负反馈时，宜采用工程近似估算方法，而非小信号微变等效模型分析方法。
　　至此，通过本书的学习，读者已经掌握了电子电路的基本知识、理论和分析方法，为从事相关电路分析和设计工作以及相关专业的后续课程学习打下了扎实的基础。回顾本书的知识结构和章节构成，不难看出本书主要以半导体器件晶体管为主，以基本晶体管放大电路为基础和重点，以差分放大电路、多级放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大电路为桥梁，逐步深入地展开电子电路基础原理和应用电路分析，同时贯穿了多种电路分析方法：画图法、小信号分析方法、大信号功率计算方法、工程近似分析方法等。值得注意的是，在学习中要勤于画各种等效电路，逐步简化电路和分析，灵活运用工程近似。
　　在北京邮电大学国际学院的“电子电路基础”课程中，我们采用了本书作为教材。通过几年的教学反馈，笔者深有体会，书中丰富的例题和详细的讲解，对于初学者的理解和自主学习都大有裨益。采用本书作为教材的授课教师，可联系te_service@phei.com.cn获取教学用PPT等相关资料。
　　Preface
　　The preparation of the preface for the 11th edition resulted in a bit of reflection on the 40 years since the first edition was published in 1972 by two young educators eager to test their ability to improve on the available literature on electronic devices. Although one may prefer the term semiconductor devices rather than electronic devices, the first edition was almost exclusively a survey of vacuum-tube devices—a subject without a single section in the new Table of Contents. The change from tubes to predominantly semiconductor devices took almost five editions, but today it is simply referenced in some sections. It is interesting, however, that when field-effect transistor (FET) devices surfac