半导体光电阴极(精装)

3.4 GaAs半导体光电阴极原理
3.5 GaAs半导体光电阴极性能
参考文献
第4章 Si-NEA光电阴极
4.1 Si(100)(2×1)-NEA光电阴极
4.2无定形 Si-NEA光电阴极
参考文献
第5章1.06gtm近红外光电阴极
5.1发展1.06μm波长光电阴极的意义
5.2 GaAs-NEA光电阴极光谱近红外扩展的基本原理
5.3 1.06μm光电阴极的早期发展
5.4透射式In GaAsl.06μm近红外光电阴极
5.5 GaAs-NEA光电阴极光谱红外扩展的限制
参考文献
第6章转移电子光电阴极
6.1 TE光电阴极的发展
6.2 TE光电阴极的早期工作
6.3 TE光电阴极的技术改进
6.4 TE光电阴极的典型性能
6.5其他 TE光电阴极方案
6.6 TE光电阴极的应用
参考文献
第7章3族N化物紫外光电阴极
7.1未来的高效率紫外光电阴极
7.23族N化物的一般物理特点
7.33族N化物的NEA特性
7.43族N化物紫外光电阴极的设计与实施方案
7.5微通道板-GaN光电阴极
7.6无Cs激活GaN紫外光电阴极
参考文献
第8章金刚石紫外光电阴极
8.1金刚石的一般特点与参量
8.2金刚石单晶的NEA表面
8.3多晶金刚石薄膜的NEA模型
8.4化学气相沉积多晶金刚石NEA光电阴极
8.5以微通道板为衬底的金刚石紫外光电阴极
8.6透射式金刚石NEA光电阴极
8.7金刚石透射式场助光电阴极
参考文献
第9章 Si锥场发射光电阴极
9.1 Si锥场发射光电阴极原理
9.2 Si锥场发射光电阴极典型制作工艺
9.3 Si锥场发射光电阴极性能
9.4 Si锥场发射光电阴极应用实例
参考文献
第10章碳纳米管光电阴极
10.1碳纳米管结构及其电学光学特性
10.2组合式碳纳米管光电阴极
10.3直接转换式碳纳米管光电阴极
参考文献
第11章超晶格与量子阱光电阴极
11.1早期的量子阱和超晶格光电阴极研究
11.2高亮度超晶格光电阴极
11.3红外量于阱光电阴极方案
11.4可用于条纹管的量子阱光电阴极展望
11.5超晶格作为光电阴极的光吸收层
参考文献
第12章半导体电子自旋极化光电阴极
12.1发展电子自旋极化光电阴极的意义
12.2大块 GaAs电子自旋极化光电阴极
12.3应变层 GaAs自旋极化光电阴极
12.4超晶格自旋极化光电阴极
12.5应变超晶格自旋极化光电阴极
12.6应变补偿超晶格自旋极化光电阴极
12.7带有分布式布拉格反射器的超晶格自旋极化光电阴极，
12.8自旋极化的弛豫
12.9表面电荷限制效应
参考文献
第13章作为高亮度电子源的半导体光电阴极应用
13.1作为电子加速器的高亮度电子源
13.2电子束光刻用的电子源
13.3高亮度 GaAs-NEA光电阴极的电子显微镜应用
参考文献