基本信息
- 原书名：High-Frequency Integrated Circuits
- 作者： （加）索兰·尼瓦格斯库（Sorin Voinigescu）
- 译者： 叶凡 俊彦
- 丛书名： 国外电子与电气工程技术丛书
- 出版社：机械工业出版社
- ISBN：9787111601029
- 上架时间：2018-10-29
- 出版日期：2018 年6月
- 开本：16开
- 版次：1-1
- 所属分类：工业技术 > 电工技术 > 电子电路、线路
教材 > 研究生/本科/专科教材 > 工学 > 电工电子
内容简介
本书从晶体管级设计的角度，针对2～200GHz的无线和宽带系统，对高速高频单芯片集成电路进行了详细的介绍。本书内容涵盖高速、射频、毫米波和光纤等电路类型，其实现方式包括纳米尺度CMOS、SiGe BiCMOS、Ⅲ-Ⅴ族化合物等半导体工艺。本书提供分步骤的设计方法，几乎每章末尾都有习题、仿真和设计案例，是高年级本科生和研究生在电路设计方面理想的参考书。
目录
出版者的话
写在前面
推荐语
译者序
前言
第1章引言
11无线通信、光纤与成像系统中的高频电路
12高频集成电路简史
13展望未来
14高频IC设计工程师
参考文献
第2章高频与高数据率通信系统
21无线与光纤通信系统
22射频收发机
23调制技术
24接收机架构
25发射机架构
26接收机指标
27发射机指标
28链路预算
写在前面
推荐语
译者序
前言
第1章引言
11无线通信、光纤与成像系统中的高频电路
12高频集成电路简史
13展望未来
14高频IC设计工程师
参考文献
第2章高频与高数据率通信系统
21无线与光纤通信系统
22射频收发机
23调制技术
24接收机架构
25发射机架构
26接收机指标
27发射机指标
28链路预算
译者序
电磁波自发现以来就被应用于信息通信和探测雷达。随着集成电路的高速发展和人们对快速通信的迫切需求，2G/3G/4G等低频段的无线电频谱已趋饱和，未来无线通信势必在更高频段开发新的无线电频谱资源。毫米波频率范围定义为30~300GHz，目前仍有很大的利用空间。毫米波通信应用具有以下优点：（1）频带宽，可以大幅提升数据传输容量；（2）波束窄，可以实现点对点的方向性通信；（3）波长短，天线等元器件尺寸可缩小至适合芯片级集成。由于毫米波通信技术的上述优点，可以有效解决高速宽带网络目前所面临的许多问题，所以在短距离无线通信中有着广泛的应用前景，例如5G毫米波通信。此外，毫米波成像和汽车雷达也是毫米波集成电路的应用热点。
毫米波集成电路可以采取不同的工艺技术加以实现。在目前的工艺节点下，14nm CMOS工艺的晶体管截止频率已经超过700GHz。作为业界主流技术方案，CMOS工艺的更新速度更快，截止频率更高，工艺集成度更好，功耗也更低，但在大功率、低噪声等方面，其他工艺仍有一定的优势。总体而言，毫米波射频集成电路的工艺选择和电路设计仍处于百花齐放的阶段。
Soren Voinigescu教授所著的这本书针对从数吉赫兹（GHz）到数百吉赫兹范围的射频系统，详细介绍了高速高频集成电路的分析和设计，其内容涵盖高速电路、射频电路、毫米波电路和光纤电路等电路类型，实现工艺包括纳米尺度CMOS、SiGe BiCMOS、ⅢⅤ族化合物半导体等集成电路工艺。相对于其他射频集成电路类专著，本书具有以下特点：（1）更为关注毫米波频段的集成电路设计，例如本书介绍60GHz射频收发机和77GHz汽车防撞雷达的集成电路设计实例；（2）集成电路实现方案覆盖硅到化合物半导体，CMOS到HBT，SOI到FinFET等各种工艺和器件类型；（3）详细介绍元器件建模和版图设计方法，这对于射频集成电路极为关键，而其他同类书籍缺乏这方面的详细描述；（4）从工程角度出发，给出了大量设计实例。因此，本书不仅可以作为本专业高年级本科生和研究生的教学参考教材，也适合从事相关领域科研工作和工程开发的技术人员的参考资料。
本书由复旦大学微电子学院、专用集成电路与系统国家重点实验室的叶凡副研究员和任俊彦教授负责完成翻译。在本书翻译过程中，实验室博士和硕士研究生，包括马顺利、刘文娟、魏东、陈迟晓、陈勇臻、魏蒙、周光耀、陈汧、穆敏宏、王玮臻、徐晨辉、王晶晶、胡航、李倩倩、戴志远、曹伏飚、黄松林、周文吉、陈肖蒙等，参与了部分章节的翻译和校对工作, 为本书翻译做出了诸多贡献，在此表示衷心的感谢。由于译者水平有限，若本书存在错误或不妥之处，敬请读者指正。
叶凡任俊彦
于复旦大学
2018年3月
毫米波集成电路可以采取不同的工艺技术加以实现。在目前的工艺节点下，14nm CMOS工艺的晶体管截止频率已经超过700GHz。作为业界主流技术方案，CMOS工艺的更新速度更快，截止频率更高，工艺集成度更好，功耗也更低，但在大功率、低噪声等方面，其他工艺仍有一定的优势。总体而言，毫米波射频集成电路的工艺选择和电路设计仍处于百花齐放的阶段。
Soren Voinigescu教授所著的这本书针对从数吉赫兹（GHz）到数百吉赫兹范围的射频系统，详细介绍了高速高频集成电路的分析和设计，其内容涵盖高速电路、射频电路、毫米波电路和光纤电路等电路类型，实现工艺包括纳米尺度CMOS、SiGe BiCMOS、ⅢⅤ族化合物半导体等集成电路工艺。相对于其他射频集成电路类专著，本书具有以下特点：（1）更为关注毫米波频段的集成电路设计，例如本书介绍60GHz射频收发机和77GHz汽车防撞雷达的集成电路设计实例；（2）集成电路实现方案覆盖硅到化合物半导体，CMOS到HBT，SOI到FinFET等各种工艺和器件类型；（3）详细介绍元器件建模和版图设计方法，这对于射频集成电路极为关键，而其他同类书籍缺乏这方面的详细描述；（4）从工程角度出发，给出了大量设计实例。因此，本书不仅可以作为本专业高年级本科生和研究生的教学参考教材，也适合从事相关领域科研工作和工程开发的技术人员的参考资料。
本书由复旦大学微电子学院、专用集成电路与系统国家重点实验室的叶凡副研究员和任俊彦教授负责完成翻译。在本书翻译过程中，实验室博士和硕士研究生，包括马顺利、刘文娟、魏东、陈迟晓、陈勇臻、魏蒙、周光耀、陈汧、穆敏宏、王玮臻、徐晨辉、王晶晶、胡航、李倩倩、戴志远、曹伏飚、黄松林、周文吉、陈肖蒙等，参与了部分章节的翻译和校对工作, 为本书翻译做出了诸多贡献，在此表示衷心的感谢。由于译者水平有限，若本书存在错误或不妥之处，敬请读者指正。
叶凡任俊彦
于复旦大学
2018年3月
前言
随着GaAs MESFET和pHEMT（pseudomorphic High Electron Mobility Transistor） IC工艺的出现，单片微波集成电路（Monilithic Microwave Integrated Circuit，MMIC）于20世纪70年代末80年代初诞生，并且在20世纪90年代中后期，随着硅晶体管的性能可满足1GHz以上的射频应用，MMIC得到了进一步蓬勃发展。自那时起，CMOS、SiGe BiCMOS以及ⅢⅤ族HEMT和异质结双极型晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor，HBT）工艺向纳米尺度缩小，以及截止频率（fT）与振荡频率（fMAX）向太赫兹（THz）频段提高的趋势，持续至今。尽管CMOS获得了主导地位，但其他工艺仍然在高速、RF、微波和毫米波领域占据着一席之地。现今的纳米尺度三维鳍栅MOSFET可谓原子结构和应力工程方面的里程碑，与SiGe HBT或ⅢⅤ族器件相比，采用了更独特的材料、异质结和化合物。实际上，InGaAs和Ge可望在未来5～10年在“标准”数字CMOS工艺中代替硅沟道。因此，与过去相比，对高频电路设计师而言，一个非常重要的要求是需要熟悉所有高频器件工艺。
CMOS作为可靠的RF工艺已经得到广泛认可。除此以外，在过去十年间，“数字RF”结合的理念快速改变了高频电路的设计方法。传统RF模块，例如低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）、压控振荡器（VoltageControlled Oscillator，VCO）、功率放大器（Power Amplifier，PA）、移相器以及调制器等，都从这一数字与微波技术的结合中受益，并且该技术在上毫米波频段将继续发挥重要作用。目前已经出现了包含大量数字模块的射频收发机，其架构基于直接RF调制器、IQ功率D/A转换器，全数字PLL以及数字校正相控阵。
与日俱增的速度要求使硅器件成为适合未来毫米波应用的工艺，这些应用包括60GHz频段的4Gb/s无线HDTV链路、77GHz频段的自动行车雷达，以及94GHz频段的有源和无源成像。基于ⅢⅤ族的以及即将出现的硅基亚毫米波传感器和集成天线无疑将实现更多应用。类似的场景也发生在有线和光纤链路中，最近IEEE在研究更高频的应用，例如110Gb/s以太网标准化工作。
与此同时，在纳米纪元，高频模块的设计难度持续增加。尽管功耗、高频噪声系数和相位噪声性能随工艺提高而得到改善，其他关键参数，例如最大输出摆幅、线性度和器件泄露都有所恶化。更低的电源电压限制了可垂直堆叠的器件数量。从经济学的角度衡量，先进工艺高昂的掩膜成本迫使设计必须一次成功。
纳米尺度MOSFET展现出的行为与本教材中所描述的经典行为有很大差异。晶圆厂频繁更新高频数据，例如fT或最小噪声系数（NFMIN），但设计工程师如何利用这些数据进行设计？对于采用32nm CMOS工艺的77GHz设计，简单的粗略计算是否依旧可行？对于180GHz呢？高频IC模块是否存在最优方案？它们又是否可以在工艺节点间无缝缩放？这类设计方法学问题在任何教科书中都很少提及，却在某些圈子里被广为流传，并据此进行高可靠性的RF、毫米波和有线IC设计，这些设计可以在不同工艺节点间，甚至在ⅢⅤ族和硅工艺间相互移植。在纳米纪元，电路与器件性能间的关联日益重要，优秀的设计师必须熟悉和掌握这两方面的知识。
本书源自作者过去9年在多伦多大学开展的研究生高级课程中一系列的教案、作业和课程设计。尽管从基本概念出发，但这些材料深入钻研了先进IC设计方法学，阐述了具体设计技术，这些方法和技术不是显而易见的，而是源于20多年的微波、毫米波硅和ⅢⅤ族IC设计经验。对于应用于无线和宽带系统的高速、高频单片集成电路，本书概括了其设计思想，强调器件电路结构间的交互与优化。设计理念的中心思想是“电路即晶体管”，即晶体管和电路性能的优化是携手前进的。本教材广泛涵盖高频半导体器件和IC工艺，围绕高速、低噪声、大功率以及高线性度电路中晶体管性能的最大化，深入分析CMOS FET和SiGe HBT的特性。其他器件结构，例如SOI和鳍栅三维沟道，也有所介绍，使读者能紧跟最新工艺发展。此外，本书还涵盖化合物半导体工艺（InP、GaAs、GaAsSb以及GaN）。如今，随着这些工艺与大量无线和有线产品日益结合，大量的工程师可以从这些被以往教材基本忽略的主题中获益。更多的内容，例如沟道应力工程、SiGe源漏异质结，以及堆叠栅介质等，在最新的CMOS和ⅢⅤ族异质结FET之间进行了多方面的横向联系。
电路版图很可能决定了高速电路设计的成败。对此，本书首次涵盖使器件和电路性能两者都最大化的版图技巧。
基于器件基础，本书给出针对无线和有线模块的分步骤设计方法。电路设计从电流密度的优化偏置开始，使晶体管偏置在其峰值fT、峰值fMAX或最优NFMIN附近。尽管当前的晶体管十分复杂，设计实例说明，简单的设计公式和手工分析不但非常关键，并且即使对于毫米波集成电路，通常也仍旧可以充分保证设计成功。书中提供了大量得到流片和测试验证的设计实例，包括双极型和FET电路实现，涵盖体硅和SOI CMOS、SiGe BiCMOS、InP、GaAs和GaN工艺。
本书还首次讨论了差分、单端，以及半电路的噪声和阻抗匹配，差分信号的稳定性问题和常见概念错误，反馈电路中的噪声，以及纳米尺度CMOS中的速度饱和等问题。
RF CMOS设计师经常抱怨模型不准确。本书首次提出，通过CMOS工艺比例缩放规则，即使缺乏晶体管模型，工程师仍然可以设计出能在偏置电流和阈值电压波动下可靠工作的CMOS高速电路。不仅如此，对工艺缩放规则的理解可以使设计在不同工艺节点间移植，而几乎不需要重新设计。
作为一种通用技术，本书描述了对MOSFET和Gilbert单元进行栅极叉指分段的方法，基于此可以为高频衰减器、开关、放大器和移相器提供多比特数字控制、校正并进行片上实时自测试。
高频IC设计既是科学，也是艺术。艺术来自于知道何时对何物如何进行近似和简化，以及知道在何种情况下可以相信何种晶体管模型、仿真或测试。这些需要通过日积月累地与经验丰富的工程师长期合作，吸取他们的错误教训，并在实验室亲手操作实验。为了对此提供支持，wwwcambrigeorg/voinigescu提供了大量采用纳米尺度RF CMOS、SiGe BiCMOS和ⅢⅤ族工艺的RF、毫米波和光纤电路的实践习题和课程设计，作为补充材料。
本书共13章，由两大类内容组成：①HF IC设计基础，包括第2～5章；②HF模块设计方法，包括第6～12章。此外，第13章介绍了最近的硅基毫米波片上系统（System on Chip，SoC）的实例。本书附录也提供了很多参考补充内容，感兴趣的读者可从机械工业出版社华章公司网站（wwwhzbookcom）上本书的相关页面下载。
第1章介绍高频集成电路的简要发展历史，可作为阅读材料。
第2章概述无线、光纤和高数据率有线系统、收发机架构，以及调制技术，并说明其与高频IC设计指标的相关性。
第3章简要回顾多端口网络参数、S参数，以及Smith圆图，介绍噪声温度、噪声系数、相关噪声源、噪声参数，以及最优噪声阻抗等关键概念。随后深入探讨了多端口、负反馈和差分电路中的高频线性带噪声网络、噪声匹配带宽、最优噪声阻抗匹配的分析技术。
第4章关注于硅基以及ⅢⅤ族工艺的高频场效应晶体管与异质结双极型晶体管的小信号、噪声与大信号参数、建模、优化偏置、尺寸与版图规划。41节讨论HF电路设计必需的FET和HBT常用高频和噪声参数，介绍噪声相关性的影响，以及晶体管的噪声阻抗与输入阻抗不相同的物理解释。45节探讨硅基集成电感、变压器、变容二极管、电容、电阻以及互连的设计与建模。如果学生具备很多的先进半导体器件知识，则只需了解41节和45节。42节、43节和44节通常可作为先进电子器件这门独立的本科生/研究生课程的一部分。这些小节分别详细和深入地讨论纳米尺度MOSFET、HBT和HEMT的物理、高频和噪声等效电路，以及版图知识。本章完整讲授完需要2～3次（每次两小时）课时。
第5章归纳了本书的上半部分内容，对高频调谐和宽带电路的结构、阻抗匹配、带宽扩展和电路分析技术进行总结，对高频差分电路的稳定性、共模抑制、单端到差分模式的转换进行深入分析。本章最后介绍非线性电路的通用结构和手工分析方法，给出差分2倍频和3倍频电路作为设计实例。
第6章介绍另一个HF IC，在功率放大器中决定晶体管最优输出功率匹配的大信号阻抗，对此模拟和数字电路设计师都不太了解。本章还介绍调谐功率放大器的基本工作原理、分类、结构，以及分步骤分析和设计方法，并提供基于CMOS、GaN和SiGe HBT工艺的PA设计实例，其中涵盖效率增强和功率合并技术。
在第3章介绍的最优噪声阻抗匹配概念，以及第4章介绍的最优晶体管偏置和尺寸规划技术上，第7章讨论调谐低噪声放大器的指标、设计理念、结构和算法级的设计方法，给出在不同CMOS工艺节点间进行LNA频率比例缩放与设计移植的理论与实例。
CMOS作为可靠的RF工艺已经得到广泛认可。除此以外，在过去十年间，“数字RF”结合的理念快速改变了高频电路的设计方法。传统RF模块，例如低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）、压控振荡器（VoltageControlled Oscillator，VCO）、功率放大器（Power Amplifier，PA）、移相器以及调制器等，都从这一数字与微波技术的结合中受益，并且该技术在上毫米波频段将继续发挥重要作用。目前已经出现了包含大量数字模块的射频收发机，其架构基于直接RF调制器、IQ功率D/A转换器，全数字PLL以及数字校正相控阵。
与日俱增的速度要求使硅器件成为适合未来毫米波应用的工艺，这些应用包括60GHz频段的4Gb/s无线HDTV链路、77GHz频段的自动行车雷达，以及94GHz频段的有源和无源成像。基于ⅢⅤ族的以及即将出现的硅基亚毫米波传感器和集成天线无疑将实现更多应用。类似的场景也发生在有线和光纤链路中，最近IEEE在研究更高频的应用，例如110Gb/s以太网标准化工作。
与此同时，在纳米纪元，高频模块的设计难度持续增加。尽管功耗、高频噪声系数和相位噪声性能随工艺提高而得到改善，其他关键参数，例如最大输出摆幅、线性度和器件泄露都有所恶化。更低的电源电压限制了可垂直堆叠的器件数量。从经济学的角度衡量，先进工艺高昂的掩膜成本迫使设计必须一次成功。
纳米尺度MOSFET展现出的行为与本教材中所描述的经典行为有很大差异。晶圆厂频繁更新高频数据，例如fT或最小噪声系数（NFMIN），但设计工程师如何利用这些数据进行设计？对于采用32nm CMOS工艺的77GHz设计，简单的粗略计算是否依旧可行？对于180GHz呢？高频IC模块是否存在最优方案？它们又是否可以在工艺节点间无缝缩放？这类设计方法学问题在任何教科书中都很少提及，却在某些圈子里被广为流传，并据此进行高可靠性的RF、毫米波和有线IC设计，这些设计可以在不同工艺节点间，甚至在ⅢⅤ族和硅工艺间相互移植。在纳米纪元，电路与器件性能间的关联日益重要，优秀的设计师必须熟悉和掌握这两方面的知识。
本书源自作者过去9年在多伦多大学开展的研究生高级课程中一系列的教案、作业和课程设计。尽管从基本概念出发，但这些材料深入钻研了先进IC设计方法学，阐述了具体设计技术，这些方法和技术不是显而易见的，而是源于20多年的微波、毫米波硅和ⅢⅤ族IC设计经验。对于应用于无线和宽带系统的高速、高频单片集成电路，本书概括了其设计思想，强调器件电路结构间的交互与优化。设计理念的中心思想是“电路即晶体管”，即晶体管和电路性能的优化是携手前进的。本教材广泛涵盖高频半导体器件和IC工艺，围绕高速、低噪声、大功率以及高线性度电路中晶体管性能的最大化，深入分析CMOS FET和SiGe HBT的特性。其他器件结构，例如SOI和鳍栅三维沟道，也有所介绍，使读者能紧跟最新工艺发展。此外，本书还涵盖化合物半导体工艺（InP、GaAs、GaAsSb以及GaN）。如今，随着这些工艺与大量无线和有线产品日益结合，大量的工程师可以从这些被以往教材基本忽略的主题中获益。更多的内容，例如沟道应力工程、SiGe源漏异质结，以及堆叠栅介质等，在最新的CMOS和ⅢⅤ族异质结FET之间进行了多方面的横向联系。
电路版图很可能决定了高速电路设计的成败。对此，本书首次涵盖使器件和电路性能两者都最大化的版图技巧。
基于器件基础，本书给出针对无线和有线模块的分步骤设计方法。电路设计从电流密度的优化偏置开始，使晶体管偏置在其峰值fT、峰值fMAX或最优NFMIN附近。尽管当前的晶体管十分复杂，设计实例说明，简单的设计公式和手工分析不但非常关键，并且即使对于毫米波集成电路，通常也仍旧可以充分保证设计成功。书中提供了大量得到流片和测试验证的设计实例，包括双极型和FET电路实现，涵盖体硅和SOI CMOS、SiGe BiCMOS、InP、GaAs和GaN工艺。
本书还首次讨论了差分、单端，以及半电路的噪声和阻抗匹配，差分信号的稳定性问题和常见概念错误，反馈电路中的噪声，以及纳米尺度CMOS中的速度饱和等问题。
RF CMOS设计师经常抱怨模型不准确。本书首次提出，通过CMOS工艺比例缩放规则，即使缺乏晶体管模型，工程师仍然可以设计出能在偏置电流和阈值电压波动下可靠工作的CMOS高速电路。不仅如此，对工艺缩放规则的理解可以使设计在不同工艺节点间移植，而几乎不需要重新设计。
作为一种通用技术，本书描述了对MOSFET和Gilbert单元进行栅极叉指分段的方法，基于此可以为高频衰减器、开关、放大器和移相器提供多比特数字控制、校正并进行片上实时自测试。
高频IC设计既是科学，也是艺术。艺术来自于知道何时对何物如何进行近似和简化，以及知道在何种情况下可以相信何种晶体管模型、仿真或测试。这些需要通过日积月累地与经验丰富的工程师长期合作，吸取他们的错误教训，并在实验室亲手操作实验。为了对此提供支持，wwwcambrigeorg/voinigescu提供了大量采用纳米尺度RF CMOS、SiGe BiCMOS和ⅢⅤ族工艺的RF、毫米波和光纤电路的实践习题和课程设计，作为补充材料。
本书共13章，由两大类内容组成：①HF IC设计基础，包括第2～5章；②HF模块设计方法，包括第6～12章。此外，第13章介绍了最近的硅基毫米波片上系统（System on Chip，SoC）的实例。本书附录也提供了很多参考补充内容，感兴趣的读者可从机械工业出版社华章公司网站（wwwhzbookcom）上本书的相关页面下载。
第1章介绍高频集成电路的简要发展历史，可作为阅读材料。
第2章概述无线、光纤和高数据率有线系统、收发机架构，以及调制技术，并说明其与高频IC设计指标的相关性。
第3章简要回顾多端口网络参数、S参数，以及Smith圆图，介绍噪声温度、噪声系数、相关噪声源、噪声参数，以及最优噪声阻抗等关键概念。随后深入探讨了多端口、负反馈和差分电路中的高频线性带噪声网络、噪声匹配带宽、最优噪声阻抗匹配的分析技术。
第4章关注于硅基以及ⅢⅤ族工艺的高频场效应晶体管与异质结双极型晶体管的小信号、噪声与大信号参数、建模、优化偏置、尺寸与版图规划。41节讨论HF电路设计必需的FET和HBT常用高频和噪声参数，介绍噪声相关性的影响，以及晶体管的噪声阻抗与输入阻抗不相同的物理解释。45节探讨硅基集成电感、变压器、变容二极管、电容、电阻以及互连的设计与建模。如果学生具备很多的先进半导体器件知识，则只需了解41节和45节。42节、43节和44节通常可作为先进电子器件这门独立的本科生/研究生课程的一部分。这些小节分别详细和深入地讨论纳米尺度MOSFET、HBT和HEMT的物理、高频和噪声等效电路，以及版图知识。本章完整讲授完需要2～3次（每次两小时）课时。
第5章归纳了本书的上半部分内容，对高频调谐和宽带电路的结构、阻抗匹配、带宽扩展和电路分析技术进行总结，对高频差分电路的稳定性、共模抑制、单端到差分模式的转换进行深入分析。本章最后介绍非线性电路的通用结构和手工分析方法，给出差分2倍频和3倍频电路作为设计实例。
第6章介绍另一个HF IC，在功率放大器中决定晶体管最优输出功率匹配的大信号阻抗，对此模拟和数字电路设计师都不太了解。本章还介绍调谐功率放大器的基本工作原理、分类、结构，以及分步骤分析和设计方法，并提供基于CMOS、GaN和SiGe HBT工艺的PA设计实例，其中涵盖效率增强和功率合并技术。
在第3章介绍的最优噪声阻抗匹配概念，以及第4章介绍的最优晶体管偏置和尺寸规划技术上，第7章讨论调谐低噪声放大器的指标、设计理念、结构和算法级的设计方法，给出在不同CMOS工艺节点间进行LNA频率比例缩放与设计移植的理论与实例。
媒体评论
“Voinigescu教授的著作必定会成为高频RFIC设计领域的经典参考书。本书综合涵盖了集成电路与系统的各个方面，包括基本电路设计技术、系统分析、封装技术以及测试，具有独到的教学价值，并展示了微波和毫米波领域片上系统的最新进展。”
Gabriel MRebeiz, California大学, San Diego
“本书来自于Sorin Voinigescu在集成电路与设计领域的丰富经验，涵盖了高频集成电路的广阔领域，包括基于先进硅和ⅢⅤ族工艺的设计。无论是本领域有经验的设计师还是新手都会受益于本书。我对大量设计诀窍的细节——通常与底层的IC工艺相联系——深感兴趣，这些技巧在相关教材中极少出现。”
PietWambacq, Brussels大学和IMEC
“本书围绕器件、电路、系统和应用进行理性及全面综合展开，Sorin Voinigescu的这本书是关于深入理解高速和高频微电子设计的独一无二的百科全书式‘辞典’。”
“本书具有原创性且深入详细，明确地聚焦于当今设计的挑战，从根本上去除了一些制约高频集成电路研发的教条，是具有前瞻性的可指引新一代技术发展道路的难得佳作。”
Domenico Zito, College Cork大学
“本书是有志于接受RF电路设计挑战的电路设计师的理想读物。Sorin Voinigescu教授带领读者从系统层面一直深入到晶体管，向读者展示了RF电路设计师在电路分析中的直觉。”
James Buckwaler, California大学, San Diego
Gabriel MRebeiz, California大学, San Diego
“本书来自于Sorin Voinigescu在集成电路与设计领域的丰富经验，涵盖了高频集成电路的广阔领域，包括基于先进硅和ⅢⅤ族工艺的设计。无论是本领域有经验的设计师还是新手都会受益于本书。我对大量设计诀窍的细节——通常与底层的IC工艺相联系——深感兴趣，这些技巧在相关教材中极少出现。”
PietWambacq, Brussels大学和IMEC
“本书围绕器件、电路、系统和应用进行理性及全面综合展开，Sorin Voinigescu的这本书是关于深入理解高速和高频微电子设计的独一无二的百科全书式‘辞典’。”
“本书具有原创性且深入详细，明确地聚焦于当今设计的挑战，从根本上去除了一些制约高频集成电路研发的教条，是具有前瞻性的可指引新一代技术发展道路的难得佳作。”
Domenico Zito, College Cork大学
“本书是有志于接受RF电路设计挑战的电路设计师的理想读物。Sorin Voinigescu教授带领读者从系统层面一直深入到晶体管，向读者展示了RF电路设计师在电路分析中的直觉。”
James Buckwaler, California大学, San Diego
