半导体制造基础
点击看大图基本信息
- 原书名： Fundamentals of Semiconductor Fabrication
- 原出版社： Wiley
- 作者： (美)Gary S.May 施敏 [作译者介绍]
- 译者： 代永平
- 丛书名： 图灵电子与电气工程丛书
- 出版社：人民邮电出版社
- ISBN：9787115166395
- 上架时间：2007-10-24
- 出版日期：2007 年11月
- 开本：16开
- 页码：268
- 版次：1-1
- 所属分类：
工业技术 > 电工技术 > 电子技术
教材 > 研究生/本科/专科教材 > 工学 > 电工电子
教材 > 教材汇编分册 > 高等理工
本版教材征订号：0044096585-3
内容简介回到顶部↑
本书在简要介绍半导体制造流程的基础上，着力从理论和实践两个方面对晶体生长、硅氧化、光刻、刻蚀、扩散、离子注入和薄膜淀积等主要制备步骤进行详细探讨。本书所有内容的讲解都结合了计算机仿真和模拟工具，并将工艺模拟作为问题分析与讨论的工具。
本书可作为高等院校微电子和材料科学等专业高年级本科生或者一年级研究生的教材。
本书可作为高等院校微电子和材料科学等专业高年级本科生或者一年级研究生的教材。
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本书提供作译者介绍
Gary S.May是半导体制造领域的世界级专家，IEEE会士，现任佐治亚理工学院电子和计算机工程学院院长、教授。May于1991年获得加州大学伯克利分校博士学位，此后任职于贝尔实验室和麦道公司。曾担任半导体领域权威期刊IEEE Transactions of Semiconductor manufacturing主编。
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第1章 概述
1.1 半导体材料
1.2 半导体器件
1.3 半导体工艺技术
1.3.1 关键半导体技术
1.3.2 技术趋势
1.4 基本制造步骤
1.4.1 氧化
1.4.2 光刻和刻蚀
1.4.3 扩散和离子注入
1.4.4 金属化
1.5 小结
参考文献
第2章 晶体生长
2.1 从熔体生长硅单晶
2.1.1 初始原料
2.1.2 czpcjralslo法
2.1.3 杂质分布
2.1.4 有效分凝系数
2.2 硅悬浮区熔法
1.1 半导体材料
1.2 半导体器件
1.3 半导体工艺技术
1.3.1 关键半导体技术
1.3.2 技术趋势
1.4 基本制造步骤
1.4.1 氧化
1.4.2 光刻和刻蚀
1.4.3 扩散和离子注入
1.4.4 金属化
1.5 小结
参考文献
第2章 晶体生长
2.1 从熔体生长硅单晶
2.1.1 初始原料
2.1.2 czpcjralslo法
2.1.3 杂质分布
2.1.4 有效分凝系数
2.2 硅悬浮区熔法
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