基本信息
- 作者： (美)Thomas H.Lee
- 译者： 余志平 周润德
- 丛书名： 国外电子与通信教材系列
- 出版社：电子工业出版社
- ISBN：9787121175954
- 上架时间：2012-9-5
- 出版日期：2012 年8月
- 开本：16开
- 页码：596
- 版次：2-1
- 所属分类：通信 > 无线电、电子学的应用
编辑推荐
这本被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细
节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础
上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基
准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本
书*后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题。
内容简介
书籍
通信书籍
《CMOS射频集成电路设计(第二版)》被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题。
《CMOS射频集成电路设计(第二版)》是高年级本科生和研究生学习射频电子学方面课程的理想教材，对于从事射频集成电路设计或其他领域的工程技术人员也是一本非常有益的参考书。
通信书籍
《CMOS射频集成电路设计(第二版)》被誉为射频集成电路设计的指南书全面深入地介绍了设计千兆赫兹（GHz）CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理；在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络及分布式系统特点的基础上，介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术；着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法，详细讨论了关键的射频电路模块，包括低噪声放大器（LNA）、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性（包括振荡电路中的相位噪声）进行了深入的探讨。本书最后考察了收发器的总体结构并展望了射频电路未来发展的前景。书中包括许多非常实用的电路图和其他插图，并附有许多具有启发性的习题。
《CMOS射频集成电路设计(第二版)》是高年级本科生和研究生学习射频电子学方面课程的理想教材，对于从事射频集成电路设计或其他领域的工程技术人员也是一本非常有益的参考书。
作译者
Thomas H．Lee于1990年获得美国麻省理工学院电机工程系博士学位，现为斯坦福大学电气工程系教授。此外，他还是IEEE固态电路学会和IEEE微波理论与技术学会的杰出讲演者。他在国际会议上赢得过四次“最佳论文”奖，并赢得Packard基金会(Packard Foundation Fellowship)的研究基金。Thomas H．Lee教授发表过100余篇学术论文并拥有30项美国专利。他还和其他人共同创办了几家公司，其中包括Matrix Semiconductor。
目录
《CMOS射频集成电路设计(第二版)》
第1章 无线电发展历史的间断回顾
1．1 引言
1．2 麦克斯韦和赫兹
1．3 真空管发明前的电子学
1．4 真空管的诞生
1．5 armstrong和再生放大器／检波器／振荡器
1．6 其他无线电电路
1．7 armstrong和超再生电蹈
1．8 oleg losev及第一个固态电路放大器
1．9 结束语
1．10 附录a：真空管基础
1．11 附录b：究竟是谁发明了无线电
第2章 无线通信原理概述
2．1 无线系统的片段简史
2．2 非蜂窝无线通信的应用
2．3 香农定理、调制及其他
2．4 传播
2．5 结论
2．6 附录：其他无线系统的特性
第1章 无线电发展历史的间断回顾
1．1 引言
1．2 麦克斯韦和赫兹
1．3 真空管发明前的电子学
1．4 真空管的诞生
1．5 armstrong和再生放大器／检波器／振荡器
1．6 其他无线电电路
1．7 armstrong和超再生电蹈
1．8 oleg losev及第一个固态电路放大器
1．9 结束语
1．10 附录a：真空管基础
1．11 附录b：究竟是谁发明了无线电
第2章 无线通信原理概述
2．1 无线系统的片段简史
2．2 非蜂窝无线通信的应用
2．3 香农定理、调制及其他
2．4 传播
2．5 结论
2．6 附录：其他无线系统的特性
媒体评论
Tom Lee编写了一本了不起的书。到过我办公室的每个人都想借阅这本书，然而我告诉他们：“自己去买一本吧!”
——David Rutledge，加州理工学院
只要粗读一下这本极为出色的有独到见解的书，就可以立即体会到Tom Lee对射频集成电路有多么喜爱和多么投入。他的有些看法虽然仍有争议，但事实上这却使这本扣人心弦且令人爱不释手的书更加有吸引力。
——Yonnis Tsividis，哥伦比亚大学
——David Rutledge，加州理工学院
只要粗读一下这本极为出色的有独到见解的书，就可以立即体会到Tom Lee对射频集成电路有多么喜爱和多么投入。他的有些看法虽然仍有争议，但事实上这却使这本扣人心弦且令人爱不释手的书更加有吸引力。
——Yonnis Tsividis，哥伦比亚大学
书摘
第5章 MOS器件物理回顾
5.1 引言
本章的注意力集中在直接与RF电路设计者有关的管子特性上，强调了一阶和高阶现象的差别，因此为了深入揭示一些问题而进行粗略近似的时候会举出许多例子来说明，所以本章的回顾是试图作为对这一内容的传统叙述的补充，而不是去替代它。特别是我们必须承认，当今的深亚微米MOSFET是非常复杂的器件，因此简单的公式事实上不可能提供任何其他比一阶（甚至可能是零阶）更精确的近似。本章的基本理念在于提供一种可以进行初步设计的简单隋形，然后通过复杂得多的模型来验证它。借助零阶模型建立起来的定性观察可以使设计者对从模拟器得到的不好结果做出正确的反应。因此，我们用一组比较简单的模型而不是用于验证的模型来进行设计。
基于这个目的，我们现在先回顾一段历史，然后再进行一系列的推导。
5.2 简短历史
人们制作场效应管（FET）的想法实际上要比双极器件的开发早20年。事实上，Julius Lilienfeld在1926年就获得了第一个类似于场效应晶体管的专利，但他从来也没有做成功过一个能够工作的器件。①wlluam Shockley在与别人合作发明双极型管之前也曾试图通过调制半导体的电导率来构成场效应管。与Lilienfeld一样，由于他使用的材料系统的问题（他采用了铜化合物②，因此没有获得成功。甚至在把目标转向锗（一种比氧化铜更简单因而更易于理解的半导体）之后，Shockley也仍然不能做出一个能够工作的场效应管。在试图分析不成功的原因的过程中，Shockley的贝尔实验室的同事John Bardeen及Walter Brattain偶然发现了点接触双极型晶体管，即第一个实际的半导体放大器。这个器件的一些没有解决的秘密（例如其中的负β）促使Shockley发明了结型场效应晶体管，这三个人由于他们的工作最终赢得了诺贝尔物理奖。
到1950年，一个基于改变半导体等效截面积的晶体管[即结型场效应管（JFET）]演示成功，它是一个很有用的器件，但却不是Shockley最初打算构造的器件。
10年后，贝尔实验室的Kahng和Atalla最终研制成功了一个硅MOSFET，他们利用一个偶然的发现，即硅自己的氧化物能够极好地控制难以解决的表面状态问题，而这些问题曾经使早期采用其他材料时所做的种种努力屡屡受挫。但是直到发现钠离子的污染是主要的罪魁祸首并且在相应的补救办法出现之前，器件特性的神秘（而且严重）漂移一直阻止了MOS工艺的商业化。
……
5.1 引言
本章的注意力集中在直接与RF电路设计者有关的管子特性上，强调了一阶和高阶现象的差别，因此为了深入揭示一些问题而进行粗略近似的时候会举出许多例子来说明，所以本章的回顾是试图作为对这一内容的传统叙述的补充，而不是去替代它。特别是我们必须承认，当今的深亚微米MOSFET是非常复杂的器件，因此简单的公式事实上不可能提供任何其他比一阶（甚至可能是零阶）更精确的近似。本章的基本理念在于提供一种可以进行初步设计的简单隋形，然后通过复杂得多的模型来验证它。借助零阶模型建立起来的定性观察可以使设计者对从模拟器得到的不好结果做出正确的反应。因此，我们用一组比较简单的模型而不是用于验证的模型来进行设计。
基于这个目的，我们现在先回顾一段历史，然后再进行一系列的推导。
5.2 简短历史
人们制作场效应管（FET）的想法实际上要比双极器件的开发早20年。事实上，Julius Lilienfeld在1926年就获得了第一个类似于场效应晶体管的专利，但他从来也没有做成功过一个能够工作的器件。①wlluam Shockley在与别人合作发明双极型管之前也曾试图通过调制半导体的电导率来构成场效应管。与Lilienfeld一样，由于他使用的材料系统的问题（他采用了铜化合物②，因此没有获得成功。甚至在把目标转向锗（一种比氧化铜更简单因而更易于理解的半导体）之后，Shockley也仍然不能做出一个能够工作的场效应管。在试图分析不成功的原因的过程中，Shockley的贝尔实验室的同事John Bardeen及Walter Brattain偶然发现了点接触双极型晶体管，即第一个实际的半导体放大器。这个器件的一些没有解决的秘密（例如其中的负β）促使Shockley发明了结型场效应晶体管，这三个人由于他们的工作最终赢得了诺贝尔物理奖。
到1950年，一个基于改变半导体等效截面积的晶体管[即结型场效应管（JFET）]演示成功，它是一个很有用的器件，但却不是Shockley最初打算构造的器件。
10年后，贝尔实验室的Kahng和Atalla最终研制成功了一个硅MOSFET，他们利用一个偶然的发现，即硅自己的氧化物能够极好地控制难以解决的表面状态问题，而这些问题曾经使早期采用其他材料时所做的种种努力屡屡受挫。但是直到发现钠离子的污染是主要的罪魁祸首并且在相应的补救办法出现之前，器件特性的神秘（而且严重）漂移一直阻止了MOS工艺的商业化。
……
【插图】
