模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)
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- 原书名：Analysis and Design of Analog Integrated Circuits
- 作者： (美)Paul R. Gray Paul J. Hurst Stephen H. Lewis Robert G. Meyer
- 译者： 张晓林
- 丛书名： 国外优秀信息科学与技术系列教学用书
- 出版社：高等教育出版社
- ISBN：9787040166002
- 上架时间：2011-3-3
- 出版日期：2011 年1月
- 开本：16开
- 页码：820
- 版次：4-3
- 所属分类：
工业技术 > 电工技术 > 电路 > 集成电路
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《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》模拟集成电路的分析与设计(翻译版)(第4版)》介绍模拟集成电路的分析与设计。全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》共十二章。前七章介绍了集成电路放大器件模型，双极型、mos和bicmos集成电路技术，单级放大器与多级放大器，镜像电流源、有源负载和基准源，输出级，单端输出的运算放大器以及集成电路的频率呼应第八、九章介绍了反馈，反馈放大器的频率呼应和稳定性，第十章至十二章介绍了非线性模拟电路，集成电路的噪声和全差分运算广大器。
《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。
《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》是现代模拟集成电路分析与设计的教材或参考书。既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。
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《模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)》
第一章集成电路放大器件模型
1.1引言
1.2pn结的耗尽区
1.3双极型晶体管的大信号特性
1.4双极型晶体管的小信号模型
1.5金属氧化物效晶体管的大信号特性
1.6mos晶体管的小信号模型
1.7mos晶体管的短沟道效应
1.8mos晶体客中的弱反型
1.9晶体管中的衬底电流
附录
a.1.1有源器件参数列表
第二章双极型、mos和bicmos集成电路技术
2.1引言
2.2集成电路产生的基本过程
2.3高压双极型集成电路的制造
2.4高级双极型集成电路的制造
2.5双极型模拟集成电路中的放大器件
2.6 双极型集成电路中的无源元件
第一章集成电路放大器件模型
1.1引言
1.2pn结的耗尽区
1.3双极型晶体管的大信号特性
1.4双极型晶体管的小信号模型
1.5金属氧化物效晶体管的大信号特性
1.6mos晶体管的小信号模型
1.7mos晶体管的短沟道效应
1.8mos晶体客中的弱反型
1.9晶体管中的衬底电流
附录
a.1.1有源器件参数列表
第二章双极型、mos和bicmos集成电路技术
2.1引言
2.2集成电路产生的基本过程
2.3高压双极型集成电路的制造
2.4高级双极型集成电路的制造
2.5双极型模拟集成电路中的放大器件
2.6 双极型集成电路中的无源元件
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